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产品描述
仪器简介:
又名:掩膜对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机等;
全球**的半导体设备供应商,多年来致力于掩膜对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上*早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多**企业、研发中心、研究所和高校所采用;依优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。
相关设备:
甩胶机,甩膜机,涂胶机,旋转涂膜机,匀膜机,清洗机,显影机等;
技术参数:
基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他要求支持;
光束均匀性:<±3%;
曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;
对准精度:1微米,**0.5微米;
分辨率:1微米;
光束输出强度:15-25mW/cm2;
主要特点:
光源强度可控;
紫外、深紫外曝光;
系统控制:手动、半自动和全自动控制;
曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity靠近模式, 投影模式;
真空吸盘范围可调;
**技术:双面对准!
双重显微镜系统,**放大1600倍;